EM Simulation 12 · 励振とポート — 「入れる」を正しく定義する

Chapter 12

励振とポート — 「入れる」を正しく定義する

この章のゴール.

集中ポートと導波ポートの違いを説明でき、どちらを使うべきか判断できること。 ディエンベッド(基準面の移動)が何をしているかを理解すること。 そして時間領域の励振波形が解析帯域をどう決めるかを説明できること。

この章で使う既出の用語(定義は各リンク先). FDTD(01 章 5 節)、シミュレーション(01 章 3 節)、実測(01 章 3 節)、次元(01 章 5 節)、領域(01 章 5 節)、コモンモード(03 章 5 節)、数値分散(05 章 6 節)、EMC(08 章 6 節)、RCS(08 章 6 節)、寸法(10 章 1 節)

1. ポートとは何か

ポートは「ここから電力を入れ、ここから出る電力を測る」と宣言する場所である。 S パラメータ(14 章)はすべてポートを基準に定義されるので、 ポートの定義が間違っていれば、どれだけ精密に解いても S パラメータは間違う。

ポートの 2 つの役割ポート励振電磁界を発生させる源として働く測定入射波と反射波を分離し、振幅と位相を記録するポートの定義が間違っていれば、どれだけ精密に解いても S パラメータは間違う
S パラメータ(14 章)はすべてポートを基準に定義される。ここが解析の入口であり出口でもある

ポートには 2 つの役割がある。

役割中身
励振電磁界を発生させる源として働く
測定入射波と反射波を分離して、振幅と位相を記録する

2. 集中ポート(Lumped Port)

2 つの導体の間に、内部インピーダンス \(Z_0\) を持つ電圧源を置く単純なモデルである。

集中ポート — 2 導体間に電圧源を置く導体 1導体 2(グラウンド)~Z₀ = 50 Ωギャップ定義に必要なものV = −∫E·dl(ギャップ間の線積分)I = ∮H·dl(導体を囲む閉路)適用条件: ギャップ ≪ 波長アンテナ給電・IC ピンのモデルに自然隠れた誤差: 給電ギャップのインダクタンス1 セルのギャップに実在しないインダクタンスが生まれ、共振が下にずれる
対策は「実際の給電構造をモデル化する」「ギャップを細かくメッシュする」「校正で差し引く」のいずれか
項目内容
定義に必要なもの端子となる 2 つの導体、ギャップ、参照インピーダンス(普通 50 Ω)
電圧の定義ギャップ間の電界の線積分 \(V = -\int \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}\)
電流の定義導体を囲む閉路の磁界の線積分 \(I = \oint \mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}\)
適用条件ギャップが波長よりずっと小さいこと
長所短所
設定が簡単。どこにでも置けるギャップが大きいと電圧の定義が曖昧になる
集中素子(R/L/C)と同じ枠組みで扱えるポート自体が持つインダクタンスが誤差になる
アンテナ給電・IC ピンのモデルに自然伝搬モードを正しく励振しないことがある

集中ポートの隠れた誤差: 給電ギャップのインダクタンス.

ギャップを 1 セルで作ると、そこに実在しないインダクタンスが生まれ、 入力インピーダンスの虚部を持ち上げる。アンテナの共振周波数が下にずれる原因になる。 対策は「実際の給電構造(同軸プローブなど)をモデル化する」か、 「ギャップを小さく・細かくメッシュする」か、「校正で差し引く」である。

3. 導波ポート(Wave Port)

伝送線路や導波管の断面をポートにする方法である。

導波ポート — 断面のモード解析から励振するポート断面を 2D で解く固有値問題伝搬モードを得る場の分布と γ3D 領域へ注入正しいモードで励振マイクロストリップ断面ポートのサイズ設定が重要小さすぎる → モードの場が切られ、特性インピーダンスが誤る大きすぎる → 断面が導波管として働き、不要な高次モードが伝搬する目安: 幅は線幅の 6〜10 倍、高さは基板厚の 4〜6 倍。サイズを変えて結果が動かないことを確認する
均一な伝送線路の端なら導波ポート、構造の途中の給電点なら集中ポート——というのが基本の使い分けである

手順は 2 段階になる。

段処理
1. 2D モード解析ポート断面だけを 2 次元固有値問題として解き、その断面で存在できる伝搬モード(電磁界分布と伝搬定数 \(\gamma\))を求める
2. 3D 解析への接続求めたモードを 3D 領域に注入し、返ってきた場をモードに射影して振幅を測る
長所短所
物理的に正しいモードで励振する断面が均一な伝送線路でないと使えない
モードごとに S パラメータが出る(多モード対応)ポートのサイズ設定に注意が要る
特性インピーダンスがモード解析から得られる設定がやや複雑

導波ポートのサイズ設定が重要である.

マイクロストリップ線路の導波ポートは、 線路の場が十分収まる大きさ(幅は線幅の 6〜10 倍、高さは基板厚の 4〜6 倍程度が目安)にする。

ポートの寸法を変えて S パラメータが動くなら、それは設定が不適切な証拠である。

4. どちらを使うか

状況推奨
均一な伝送線路の端(マイクロストリップ、CPW=コプレーナ導波路。信号線とグラウンドを同じ面に並べた線路、同軸、導波管)導波ポート
アンテナの給電点(構造の途中、線路がない)集中ポート
IC のピン・バンプ・集中素子の位置集中ポート
差動線路(ペア)導波ポート(差動モードとコモンモードが分離できる)
高精度が要る挿入損失評価導波ポート + ディエンベッド

5. ディエンベッド — 基準面を動かす

ポートを構造から少し離して置くと、その間の伝送線路の位相・損失が S パラメータに混ざる。 本当に知りたいのは「素子そのもの」の特性なので、この余分な線路を数学的に取り除く。これがディエンベッドである。

ディエンベッド — 基準面を動かす評価したい素子余分な線路 ℓ₁余分な線路 ℓ₂ポート面ポート面移動後の基準面移動後の基準面S₁₁ᵈᵉ = S₁₁ · e^(+2γℓ), S₂₁ᵈᵉ = S₂₁ · e^(+γ(ℓ₁+ℓ₂))実測の TRL 校正と同じことをしている —— 比較するときは両者の基準面を必ず合わせる
「位相が合わない」の原因の筆頭が基準面の不一致である。振幅は合うのに位相だけずれるならまずここを疑う

均一な線路を距離 \(\ell\) ぶん取り除くのは、伝搬定数 \(\gamma = \alpha + j\beta\) を使って

\[ S_{11}^{\text{de}} = S_{11}\,e^{+2\gamma\ell}, \qquad S_{21}^{\text{de}} = S_{21}\,e^{+\gamma(\ell_1+\ell_2)} \]

と補正する(\(S_{11}\) は往復ぶんなので指数が 2 倍)。

これは実測の TRL 校正(Thru-Reflect-Line——長さの違う標準を測って治具の影響を差し引く校正法)と同じことをしている.

ネットワークアナライザ(S パラメータを実測する測定器)で測るとき、ケーブルと治具の影響を校正で取り除くのと同じである。 シミュレーションと実測を比較するときは、両者の基準面が一致しているかを必ず確認する—— 位相が合わない原因の筆頭がこれである(20 章)。

6. 時間領域の励振波形 — 帯域を決めるもの

FDTD ではパルスを入れて時間応答を得る(16 章)。波形の選択が解析帯域を決める。

励振波形が解析帯域を決める時間波形スペクトルガウシアンDC を含む微分ガウシアンDC 成分ゼロ(標準)変調ガウシアン帯域を絞れる鉄則: 解析帯域の 1.5〜2 倍まで含み、それ以上は含まない
鋭くしすぎるとメッシュで解像できない高周波が入り、数値分散で汚れる。緩すぎると高域が雑音になる
波形数式スペクトル用途
ガウシアンパルス\(e^{-(t-t_0)^2/\tau^2}\)ガウス型。DC を含む低周波から解析したいとき
微分ガウシアン\(-\frac{2(t-t_0)}{\tau^2}e^{-(t-t_0)^2/\tau^2}\)DC 成分がゼロ一般的な広帯域解析の標準
変調ガウシアン\(e^{-(t-t_0)^2/\tau^2}\cos(\omega_c t)\)\(\omega_c\) を中心とする帯域特定帯域だけ見たいとき。無駄がない
正弦波(定常)\(\sin(\omega t)\)単一周波数定常状態の場の可視化

ガウシアンパルスのスペクトルもガウシアンで、時間幅と帯域は反比例する:

\[ \tau_{\text{時間}} \cdot B_{\text{帯域}} \approx \text{一定} \]

鉄則: 解析したい最高周波数の成分が、パルスに十分含まれていること.

20 GHz まで見たいのに、パルスが緩やか(\(\tau\) が大きい)だと 20 GHz の成分がほとんど無い。 そこの S パラメータは雑音を割り算した値になり、ギザギザの無意味な曲線になる。

逆にパルスを鋭くしすぎると、メッシュで解像できない高周波成分が入り、 数値分散(06 章)で汚れる。 「解析帯域の 1.5〜2 倍まで含み、それ以上は含まない」のが良い設計である。

多くのソルバは解析帯域を指定すると波形を自動生成する。その帯域指定を正しく入れること。

ポートと励振波形を見る

励振波形の種類とパルス幅を変えて、時間波形とスペクトルの対応を見られる。 解析帯域に対してパルスが緩すぎる/鋭すぎるとどうなるかを確かめてほしい。

7. その他の励振源

源用途
平面波入射散乱・RCS 解析、EMC のイミュニティ試験(外部から波が来る状況)
電流源・電圧源任意位置の点源。放射の基本試験
ホイヘンス面 / 場のインポート別の解析で得た場を境界から入力する。全体を 2 段階に分けて解くときに使う
ニアフィールドソース実測した近傍界分布を源として与える

8. ポートまわりのチェックリスト

9. この章のまとめ

ポイント内容
ポートの役割励振と測定。S パラメータの定義そのもの
集中ポート簡単・どこでも。ギャップのインダクタンスが誤差源
導波ポート2D モード解析 → 正しいモードで励振。サイズ設定に注意
ディエンベッド余分な線路を数学的に除去。実測の校正と同じ。基準面を合わせる
励振波形時間幅と帯域は反比例。解析帯域の 1.5〜2 倍まで含める