EM Simulation 06 · FDTD の限界 — クーラン条件・数値分散・階段近似

Chapter 06

FDTD の限界 — クーラン条件・数値分散・階段近似

この章のゴール.

クーラン条件 \(c\Delta t \le \Delta x/\sqrt{3}\) を自分で導出できること。 「なぜ小さいセルが 1 つあるだけで計算全体が遅くなるのか」を説明できること。 そして数値分散と階段近似が、実務のどの症状として現れるかを知ること。

この章で使う既出の用語(定義は各リンク先). FDTD(01 章 5 節)、FEM(01 章 5 節)、次元(01 章 5 節)、領域(01 章 5 節)、発散(02 章 2 節)、分散性(03 章 6 節)、中心差分(04 章 2 節)、数値分散(05 章 6 節)、階段近似(05 章 6 節)

1. 安定性 — 破ると一瞬で発散する

FDTD には時間ステップ \(\Delta t\) の上限がある。超えると解が指数的に発散し、数十ステップで数値が無限大になる。 この条件をクーラン条件(CFL 条件、Courant–Friedrichs–Lewy)と呼ぶ。

導出にはフォン・ノイマンの安定性解析を使う。手順は 3 段だけである。

Step 1: 解を平面波と仮定して代入する

1 次元の更新式(05 章)に、空間で波数 \(k\)、時間で増幅率 \(q\) を持つ解を仮定する:

\[ E^n_i = E_0\, q^n e^{-jki\Delta x}, \qquad H^{n+1/2}_{i+1/2} = H_0\, q^{n+1/2} e^{-jk(i+1/2)\Delta x} \]

「\(|q| > 1\) なら毎ステップ増幅されて発散、\(|q| \le 1\) なら安定」——これが判定基準になる。

Step 2: 更新式に代入して \(q\) の方程式を作る

磁界の更新式に代入すると、\(e^{-jk(i+1/2)\Delta x}\) が共通因子として括れて

\[ H_0\left(q^{1/2} - q^{-1/2}\right) = -\frac{\Delta t}{\mu\Delta x}E_0\left(e^{-jk\Delta x/2} - e^{+jk\Delta x/2}\right) = \frac{\Delta t}{\mu\Delta x}E_0 \cdot 2j\sin\!\left(\frac{k\Delta x}{2}\right) \]

電界の更新式からも同様に

\[ E_0\left(q^{1/2} - q^{-1/2}\right) = \frac{\Delta t}{\varepsilon\Delta x}H_0 \cdot 2j\sin\!\left(\frac{k\Delta x}{2}\right) \]

(両式とも \(q^{n+1/2}\) で割ってある。)

Step 3: 2 式を掛けて \(E_0 H_0\) を消す

\[ \left(q^{1/2} - q^{-1/2}\right)^2 = -\frac{4\Delta t^2}{\mu\varepsilon\,\Delta x^2}\sin^2\!\left(\frac{k\Delta x}{2}\right) \]

\(c^2 = 1/(\mu\varepsilon)\) を使い、右辺を \(-4S^2\sin^2(k\Delta x/2)\) と書く。ここで

\[ S \equiv \frac{c\,\Delta t}{\Delta x} \qquad\text{(クーラン数)} \]

\(\xi = q^{1/2}\) と置くと \(\xi^2 - 2A\xi + 1 = 0\)(\(A = 1 - 2S^2\sin^2(k\Delta x/2)\))の形になり、解は

\[ \xi = A \pm \sqrt{A^2-1} \]

したがって安定条件は \(|A|\le 1\)、すなわち \(2S^2\sin^2(k\Delta x/2) \le 2\)。 最悪ケース(\(\sin^2 = 1\))で

\[ \boxed{\; S = \frac{c\Delta t}{\Delta x} \le 1 \;} \qquad\text{(1 次元)} \]

3 次元では 3 方向の波数が同時に効くので、\(\sin^2\) の項が 3 つ足し合わさり

\[ \boxed{\; c\,\Delta t \le \frac{1}{\sqrt{\dfrac{1}{\Delta x^2}+\dfrac{1}{\Delta y^2}+\dfrac{1}{\Delta z^2}}} \;} \]

立方体セル(\(\Delta x=\Delta y=\Delta z\))なら \(c\Delta t \le \Delta x/\sqrt{3}\) である。

クーラン条件 — 1 ステップで 1 セル以上進めないS ≤ 1(安定)1 ステップ波は 1 セル以内に留まる隣の情報だけで計算できるS > 1(発散)1 ステップ情報が届いていない場所の値を使う→ 因果関係が壊れ、数十ステップで爆発c Δt ≤ 1 / √( 1/Δx² + 1/Δy² + 1/Δz² )立方体セルなら c Δt ≤ Δx/√3。S = cΔt/Δx がクーラン数
導出は「平面波を代入して増幅率 q を求め、|q| ≤ 1 を課す」だけ。フォン・ノイマンの安定性解析である

物理的な意味は一行で言える.

「1 時間ステップの間に、波が 1 セル分より遠くへ進んではいけない」。

FDTD は隣のセルの値しか見ない。もし波が 1 ステップで 2 セル先まで進むなら、 情報が届いていない場所の値を使って計算することになり、因果関係が壊れる。 クーラン数 \(S\) は「1 ステップで進む距離 ÷ セル幅」そのものである。

クーラン条件を破ってみる

クーラン数を 1 より大きくすると何が起きるか、実際に走らせて確かめられる。 数十ステップで数値が爆発する様子は、一度見ておくと忘れない。

2. 「最小セル」の呪い

クーラン条件は格子の中で最も小さいセルで決まる。ここに実務上の大問題がある。

細い配線を解像するために 1 箇所だけ 10 µm のセルを入れると、 計算領域全体の時間ステップがそのセルに合わせて縮む。

最小セル\(\Delta t\) の上限10 ns を計算するのに必要なステップ数
1 mm1.9 ps約 5,200
100 µm190 fs約 52,000
10 µm19 fs約 520,000
最小セルの呪い — 1 箇所の細かさが全体を支配する細い配線のために ここだけ 10 µm他は 1 mm で十分Δt は最小セルで決まる1 mm → 1.9 ps100 µm → 190 fs10 µm → 19 fsステップ数が 100 倍対策: サブグリッド/非一様格子(隣接比 1.5 以内)/陰解法だが最も効くのは「なぜこのセルが小さいのか」を問い直すこと等価モデルへの置換(10 章)・モデル簡略化(20 章)が最大の高速化である
「ちょっと細かくしただけ」で計算が数日になるのはこの仕組みによる。細分化には常に理由が要る

セルを 1/100 にすると、ステップ数は 100 倍。これに 3 次元のセル数増加(\(\times 10^6\))が掛かる。 「ちょっと細かくしただけ」で計算が数日になるのはこのためである。

対策は 3 つある。

対策中身代償
サブグリッド細かい領域だけ別格子にして、そこだけ小さい \(\Delta t\) で回す実装が複雑。境界で反射・不安定が起きうる
非一様格子必要な場所だけ細かい直交格子(急激な変化は避ける)急に変わると反射が出る。隣接セル比 1.5 以内が目安
陰解法(ADI-FDTD 等。ADI=交互方向陰解法)クーラン条件から解放される定式化1 ステップの計算が重い。数値分散が悪化

実務の鉄則: 「なぜこのセルが小さいのか」を常に問う.

細いスリット、薄い誘電体、小さいギャップ——本当にその寸法を解像する必要があるのか。 集中素子で置き換えられないか、等価的な薄板モデルは使えないか。 モデルの簡略化(20 章)が、最も効果の大きい高速化である。

3. 数値分散 — 波の速度が狂う

04 章で「中心差分は実効波数を \(\sin(k\Delta x)/\Delta x\) にしてしまう」と見た。 FDTD ではこれが波の伝搬速度の誤差として現れる。

安定性解析で得た関係式(Step 3 の式)を \(q = e^{j\omega\Delta t}\) と置いて整理すると、 数値分散関係式が得られる:

\[ \left[\frac{1}{c\Delta t}\sin\!\left(\frac{\omega\Delta t}{2}\right)\right]^2 = \left[\frac{1}{\Delta x}\sin\!\left(\frac{k_x\Delta x}{2}\right)\right]^2 + \left[\frac{1}{\Delta y}\sin\!\left(\frac{k_y\Delta y}{2}\right)\right]^2 + \left[\frac{1}{\Delta z}\sin\!\left(\frac{k_z\Delta z}{2}\right)\right]^2 \]

真の分散関係 \((\omega/c)^2 = k_x^2+k_y^2+k_z^2\) と比べると、 すべての \(k\) が \(\frac{2}{\Delta}\sin(k\Delta/2)\) に置き換わっている。 \(\Delta \to 0\) で真の式に戻るが、有限の \(\Delta\) では位相速度がずれる。

数値分散 — 波の速度が離散化のせいで狂う波数 k位相速度真の速度 c離散化された速度高い周波数ほど遅くなる2 つの厄介な性質① 周波数依存パルスが伝わるうちに崩れて尾を引く② 方向依存(異方性)軸方向と対角方向で速度が違う→ 円形に広がる波がわずかに歪む意外な事実: 対角方向のほうが誤差が小さい。S = 1/√3 で対角の分散はゼロになる→ クーラン数は安定限界ギリギリ(0.95〜0.99 倍)が得。速くなるうえ分散も小さい
対策は結局セル/波長を増やすこと。高次差分の FDTD もあるが境界処理が複雑で商用では一般的でない

数値分散には 2 つの厄介な性質がある。

性質中身症状
周波数依存高い周波数(\(k\Delta x\) が大きい)ほど遅くなるパルスが伝わるうちに崩れて尾を引く
伝搬方向依存(異方性)格子軸方向と対角方向で速度が違う円形に広がるはずの波がわずかに歪む

軸方向より対角方向のほうが誤差が小さい.

直感的には「対角は 45° に階段を刻むから悪そう」だが、逆である。 対角方向では 3 方向の \(\sin\) 項が分散して効くため、誤差が打ち消し合う。 \(S = 1/\sqrt{3}\)(3D の限界クーラン数)ちょうどで対角方向の分散がゼロになるという性質もある。 クーラン数はギリギリまで大きく取るのが得(安定限界の 0.95〜0.99 倍)—— 計算が速くなるうえに分散も小さい。

対策は結局のところ セル/波長を増やすことに尽きる(04 章の表)。 高次差分(4 次精度など)を使う FDTD もあるが、境界処理が複雑になるため商用では一般的でない。

4. 階段近似 — 直交格子の宿命

FDTD は直交格子なので、斜面・曲面は階段状にしか表現できない。

階段近似 — 直交格子の宿命階段近似本来の曲面(曲線)と、セルで刻んだ階段(塗り)症状共振周波数のずれ(実効寸法が変わる)階段の角に偽の電界集中・散乱収束が Δx² から Δx へ落ちる= せっかくの 2 次精度が 1 次になる対策: 適合メッシュ(conformal / PBA)セルが境界で切られている割合に応じて更新式の係数を補正し、2 次精度を回復する曲面が主役なら、そもそも FEM(四面体)を選ぶほうが速い(09 章)
商用ソルバではほぼ標準搭載だが、有効になっているかは確認する価値がある
症状中身
共振周波数のずれ円形パッチの実効半径が階段化でずれる → 共振が数 % 動く
偽の散乱階段の角に電界が集中し、実在しない散乱・損失が出る
収束の遅さメッシュを細かくしても誤差が \(\Delta x^2\) でなく \(\Delta x\) でしか減らない(1 次精度に落ちる)

最後の項目が深刻である。 せっかく中心差分で 2 次精度にしたのに、 斜めの境界があるだけで全体の精度が 1 次に落ちてしまう。

対策には適合メッシュ(conformal FDTD)がある。 セルが境界で切られている場合に、切られた面積・辺長に応じて更新式の係数を補正する手法で、 商用ソルバではほぼ標準搭載である。曲面を扱うときは必ず有効にする。

曲面が主役なら、そもそも FEM を選ぶ.

四面体メッシュ(07 章)なら曲面をそのまま貼れる。 「アンテナの放射器が円形」「筐体が丸い」といった問題では、 階段近似と戦うより手法を変えるほうが速い——それが 09 章の判断である。

5. 高 Q 共振 — 待ち時間の問題

FDTD はエネルギーが十分減衰するまで計算を続ける必要がある(そうしないと FFT が正しく出ない、16 章)。 Q 値の高い共振器では、減衰に必要な時間が

\[ t_{\text{decay}} \approx \frac{Q}{\pi f} \]

程度になる。\(Q = 10{,}000\)、\(f = 1\) GHz なら 3.2 µs—— \(\Delta t = 1\) ps として 300 万ステップ。現実的でない。

対策中身
信号処理で外挿減衰の途中で打ち切り、Prony 法・行列ペンシル法(打ち切った波形から減衰する正弦波の重ね合わせを推定し、その先を計算で伸ばす手法)などで残りを予測する(商用ソルバに搭載)
周波数領域に切り替える高 Q なら FEM(07 章)が圧倒的に有利。共振は周波数領域の得意分野

6. FDTD の得手不得手 — まとめ表

場面FDTD の適性
広帯域(1 回で全周波数)◎ 最大の強み
大規模(電気的に大きい)◎ \(O(N)\) でメモリも線形
時間応答・過渡現象(TDR=時間領域反射測定、16 章/EMI=電磁妨害、19 章のパルス)◎ 自然
直方体・層構造が主体(基板、パッケージ)○
曲面・斜め構造が主役△ 適合メッシュが要る
高 Q 共振(フィルタ、共振器)× 待ち時間が非現実的
分散性材料が多数△ 実装依存。畳み込みが要る
微細構造と大領域が混在△ 最小セルの呪い

7. この章のまとめ

ポイント内容
クーラン条件\(c\Delta t \le (\sum 1/\Delta^2)^{-1/2}\)。1 ステップで 1 セル以上進めない
導出平面波を代入 → 増幅率 \(q\) → $`q\le1`$ の条件
最小セルの呪い1 箇所の細いセルが全体の \(\Delta t\) を支配する
数値分散高周波ほど遅い・方向で速度が違う。\(S\) は限界ギリギリが得
階段近似曲面で 2 次精度が 1 次に落ちる。適合メッシュを使う
高 Q減衰待ちが非現実的 → 周波数領域へ