組み込み回路 02 · 受動素子の実際 — 理想の R・L・C は存在しない

Chapter 02

受動素子の実際 — 理想の R・L・C は存在しない

この章がなぜ必要なのか——実務のトラブルの大半は、ここから来る.

「100 nF のコンデンサを入れたのにノイズが取れない」 「10 µF なのに実効容量が 2 µF しかない」 「フェライトビーズを入れたら共振して悪化した」

これらはすべて、理想素子として考えたことが原因である。

実際のコンデンサは抵抗とインダクタも持っている。 高い周波数では、コンデンサがインダクタとして振る舞う。 この事実を知らないと、デカップリング(16 章)もフィルタ(03 章)も設計できない。

この章で使う既出の用語(定義は各リンク先). バイアス(01 章 4 節)

1. コンデンサの基本

電流と電圧の関係

\[ i(t) = C \frac{dv(t)}{dt} \]

電圧が変化するときだけ電流が流れる。 変化しなければ電流はゼロ(=直流を通さない)。

逆に解くと

\[ v(t) = \frac{1}{C} \int i(t)\, dt \]

電流を積分したものが電圧になる。 これがフィルタ(03 章)と積分回路の基礎である。

インピーダンス

正弦波に対しては、複素インピーダンスで扱える。

\[ Z_C = \frac{1}{j\omega C} \qquad |Z_C| = \frac{1}{2\pi f C} \]

周波数が高いほどインピーダンスが下がる。

容量1 kHz100 kHz10 MHz
100 pF1.6 MΩ16 kΩ159 Ω
100 nF1.6 kΩ16 Ω0.16 Ω
10 µF16 Ω0.16 Ω1.6 mΩ

——という計算は、理想コンデンサでのみ成り立つ。 実際は次節で見るように違う。

蓄えるエネルギー

\[ E = \frac{1}{2} C V^2 \]

電圧の 2 乗で効く。 電圧が 2 倍ならエネルギーは 4 倍。

2. 実際のコンデンサ — ESR と ESL

実際のコンデンサは、こういう等価回路になる。

コンデンサの等価回路ESR等価直列抵抗ESL等価直列インダクタンスCRleak並列の漏れ抵抗(普通は無視できる)
理想のコンデンサは存在しない。実際は ESR と ESL が直列に入っていて、これが高周波での性能を決める
成分名前由来効果
ESR等価直列抵抗電極・誘電体の損失発熱、リプル除去性能の低下
ESL等価直列インダクタンス電極とリードの形状高周波でインピーダンスが上がる
\(R_{leak}\)漏れ抵抗誘電体の絶縁不良直流の漏れ電流

自己共振周波数 (SRF)

ESL と C が直列共振する周波数がある。

\[ f_{SRF} = \frac{1}{2\pi \sqrt{L_{ESL} \cdot C}} \]
周波数 f|Z|ESRf_SRF容量性 1/(2πfC)誘導性 2πfL(ESL)これより上ではコンデンサはインダクタとして振る舞う
自己共振周波数 SRF より上では、容量を増やしても高周波インピーダンスは下がらない

これが最も重要な事実である.

\(f_{SRF}\) より上では、コンデンサはインダクタとして振る舞う。

「10 µF を入れれば 100 MHz でも低インピーダンス」——間違い。 大容量品ほど ESL が大きく、SRF が低い。

代表的な SRF の目安(1608 サイズ・MLCC)

容量SRF の目安備考
10 pF数 GHz高周波向け
100 pF約 1 GHz
1 nF約 300 MHz
100 nF約 20〜30 MHzデカップリングの定番
1 µF約 5〜10 MHz
10 µF約 2〜4 MHz

大容量ほど SRF が低い。 だから 16 章で見るとおり、 容量の違うコンデンサを並列に置くという設計になる。

コンデンサのインピーダンスを見る

容量・ESR・ESL を変えて、周波数特性がどう変わるかを確かめられる。

3. コンデンサの種類

種類容量範囲特徴用途
MLCC(積層セラミック)0.5 pF〜100 µF小型・安い・低 ESL。DC バイアス特性が大問題ほぼ全用途
電解(アルミ)1 µF〜数万 µF大容量・安い。ESR 大・寿命あり電源の平滑
導電性高分子(ポリマー)数 µF〜数百 µF低 ESR・長寿命スイッチング電源の出力
タンタル1〜数百 µF小型・安定。ショートモード故障小型機器
フィルム数 nF〜数十 µF高精度・低損失・自己修復アナログ・高電圧

MLCC の誘電体クラス

ここが最大の落とし穴である。

クラス記号容量精度温度特性DC バイアス用途
Class 1C0G / NP0±0.5 % 程度±30 ppm/°Cほぼなし発振・フィルタ・タイミング
Class 2X7R / X5R±10〜20 %±15 %大きいデカップリング・バイパス
Class 2Y5V / Z5U±20〜80 %−82 % など極めて大きい使わない方がよい

DC バイアス特性 — 「10 µF が 2 µF になる」

Class 2 の MLCC は、直流電圧をかけると容量が減る。

印加する DC 電圧実効容量100 %50 %20 %C0G / NP0(変化しない)X5R / X7R定格の 50 %定格電圧0 V
Class 2(X5R/X7R)の MLCC は、電圧をかけただけで容量が落ちる。「10 µF」は無印加時の値でしかない
例内容
10 µF / 6.3 V / X5R / 1608 に 5 V 印加実効容量が 2〜3 µF まで落ちることがある
同じ容量でも大きいサイズ低下が緩やか
定格電圧が高い品種低下が緩やか

これは「不良」ではなく、Class 2 誘電体の物性である.

対策:

「10 µF を入れたのに電源リプルが取れない」の原因は、 実際には 2 µF しかなかった、というケースが非常に多い。

その他の Class 2 の癖

現象内容
経時変化(エージング)Class 2 は時間とともに容量が減る(数 % / 10 年の対数則)
温度特性X7R は −55〜+125 °C で ±15 %。X5R は −55〜+85 °C
圧電効果(鳴き)機械的に振動する。可聴音が出ることがある
機械応力でのクラック基板のたわみで割れる。ショート故障になる

MLCC のクラックによるショートは、実際の火災事故の原因になっている.

対策:

4. インダクタの基本

電流と電圧の関係

\[ v(t) = L \frac{di(t)}{dt} \]

電流が変化するときだけ電圧が出る。 コンデンサと双対の関係にある。

インピーダンス

\[ Z_L = j\omega L \qquad |Z_L| = 2\pi f L \]

周波数が高いほどインピーダンスが上がる。

蓄えるエネルギー

\[ E = \frac{1}{2} L I^2 \]

電流の 2 乗で効く。 これがスイッチングレギュレータ(15 章)の原理である。

インダクタで最も重要な性質: 電流は急に変えられない.

\(v = L \, di/dt\) なので、電流を急に切ろうとすると \(di/dt\) が巨大になり、電圧が跳ね上がる。

リレーやソレノイドの駆動でフライバックダイオードが必要なのはこのため(04 章)。 ダイオードがないと、トランジスタが過電圧で壊れる。

5. 実際のインダクタ

インダクタの等価回路DCR巻線の直流抵抗LCp巻線間の浮遊容量(これが自己共振を作る)
インダクタにも直流抵抗(DCR)と巻線間容量がある。DCR は損失に、Cp は自己共振に効く
成分名前効果
DCR直流抵抗損失・発熱。効率に直結
\(C_p\)巻線間容量高周波でコンデンサとして振る舞う
飽和電流 (Isat)—これを超えるとインダクタンスが激減する

飽和 — インダクタ最大の落とし穴

電流 Iインダクタンス LI_sat(L が 20〜30 % 落ちる点)定格内:ほぼ一定磁気飽和L が急減
飽和すると L が急に減り、di/dt = V/L が跳ね上がって電流が暴走する。だから平均ではなくピーク電流で選ぶ

飽和すると、何が起きるか.

スイッチングレギュレータ(15 章)では——

  1. インダクタンスが下がる
  2. \(di/dt = v/L\) が大きくなり、電流がさらに急増する
  3. さらに飽和する(正帰還)
  4. 電流が制御不能になり、MOSFET が壊れる

突入電流や過渡状態で一瞬でも Isat を超えると危険である。 定常電流だけでなく、リプルのピーク値と起動時の突入で確認すること。

飽和電流の定義に注意

定義内容
Isatインダクタンスが公称値から一定割合(10〜30 %)低下する電流
Irms(温度定格)温度上昇が規定値(40 °C など)になる電流

この 2 つは別の値であり、どちらか小さい方が実質的な上限になる。 データシートでどちらの定義かを必ず確認すること。

インダクタの種類

種類特徴用途
巻線型(シールド)低 DCR、高 Isat、漏れ磁束が少ない電源
巻線型(非シールド)安い。漏れ磁束が周囲に影響する低ノイズ要求のない電源
積層型小型・安い。Isat が小さい信号線のフィルタ
薄膜型高精度・高周波RF
フェライトビーズ高周波で抵抗として働く(後述)ノイズ対策

6. フェライトビーズ — 「抵抗」として使う部品

フェライトビーズは、インダクタではなく「周波数依存の抵抗」として扱うのが正しい。

インピーダンスR 成分(損失=熱に変える)X 成分(インダクタ性)低周波:ほぼ 0 Ω数百 MHz でピーク周波数 f →「抵抗になる帯域」で使うのが正しい使い方
フェライトビーズはインダクタではなく、特定の帯域で抵抗になる部品。低周波ではただのインダクタである点が落とし穴

データシートの「100 Ω @ 100 MHz」は、その周波数でのインピーダンスの大きさである。

フェライトビーズの落とし穴: 共振.

ビーズはインダクタ成分を持つ。その先にデカップリングコンデンサがあると——

電源ビーズICC低周波ではビーズ = LC と共振してピークが立つ
ビーズと後段のコンデンサは LC 共振を作る。「ビーズを入れたらノイズが増えた」はこれが原因

LC の直列共振回路になる。 共振周波数でインピーダンスが跳ね上がり、 かえってノイズが増える(アンチレゾナンス)。

対策:

「とりあえずビーズを入れる」は、しばしば逆効果である。

7. 素子の周波数特性まとめ

3 つの素子のインピーダンスを比べる

周波数を変えて、R・L・C(寄生成分込み)のインピーダンスを比較できる。

素子低周波高周波
抵抗\(R\)寄生 L で上がる(巻線型は特に)
コンデンサ\(1/(2\pi f C)\) で下がるSRF を超えると ESL で上がる
インダクタ\(2\pi f L\) で上がるSRF を超えると \(C_p\) で下がる

「高い周波数では、すべての素子が別のものになる」.

これが実装(23 章)で最も重要な事実である。 数十 MHz を超えたら、部品は理想素子として振る舞わない。

対策は 1 つ——寄生成分を小さくする。 つまり 配線を短く、ループを小さく、パッケージを小さくする。 16 章と 23 章で、これを具体的な設計ルールに落とす。

8. 部品の型番の読み方(MLCC の例)

MLCC の型番の読み方(例)GRM188R71C105KA88D厚み電極・パッケージ容量許容差 K = ±10 %容量 105 = 10 × 10⁵ pF = 1 µF温度特性 + 定格電圧(71C = X7R / 16 V)誘電体材料サイズ 188 = 1608(1.6 × 0.8 mm)シリーズ
容量値と許容差だけ見て選ぶと事故る。温度特性(X7R か C0G か)と定格電圧が実効容量を決める

容量コードは抵抗と同じ「有効数字 2 桁 + 10 の冪」で、単位は pF。

コード容量
104\(10 \times 10^4\) pF = 100 nF
105\(10 \times 10^5\) pF = 1 µF
106\(10 \times 10^6\) pF = 10 µF
220\(22 \times 10^0\) pF = 22 pF

サイズの呼び方(混乱の元)

メトリック(mm)インチ実寸
100504021.0 × 0.5 mm
160806031.6 × 0.8 mm
201208052.0 × 1.25 mm
321612063.2 × 1.6 mm

「0603」が指すものが 2 通りあるので、必ず単位を確認すること.

メトリックの 0603 は 0.6 × 0.3 mm(インチの 0201 相当)。 インチの 0603 は 1.6 × 0.8 mm(メトリックの 1608)。 長さで約 2.7 倍、面積で約 7 倍違う。 部品表と実装で食い違うと大事故になる。

9. この章のまとめ

ポイント内容
コンデンサ\(i = C\,dv/dt\)、\(Z = 1/(2\pi f C)\)、\(E = \frac12 CV^2\)
ESR / ESL実際のコンデンサは抵抗とインダクタも持つ
SRFこれを超えるとコンデンサはインダクタになる。100 nF で約 20〜30 MHz
MLCC のクラスC0G/NP0(安定・タイミング用)と X7R/X5R(デカップリング用)
DC バイアスClass 2 は電圧をかけると容量が激減する。10 µF が 2 µF になる
MLCC のクラック基板のたわみで割れ、ショート故障になる。配置と品種で対策
インダクタ\(v = L\,di/dt\)、\(E = \frac12 LI^2\)。電流は急に変えられない
飽和Isat を超えるとインダクタンスが激減し、暴走する。リプルのピークで確認
フェライトビーズインダクタではなく周波数依存の抵抗。共振に注意
高周波すべての素子が別のものになる。対策は配線を短くループを小さく
型番容量コードは pF 単位。サイズ表記はメトリックとインチで混乱する

次章では、これらの素子を組み合わせたときの振る舞い—— 過渡応答とフィルタを扱う。